存储芯片韩国独揽，庞大内需能否拉动国产替代丨亿欧全球视角

对于手机、平板、电脑、笔记本等所有电子产品来说，“内存”是必不可少的半导体器件之一。 

内存也叫做存储器，是整个半导体行业三大支柱之一。全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示，2019年全球半导体市场规模为5000亿美元，其中，存储器市场规模1155亿美元，占比高达22%。 

巨头瓜分全球，高度垄断

存储器的核心是存储芯片。以断电后数据是否丢失为划分依据，存储芯片可分为“易失性芯片”和“非易失性芯片”两大类。 

易失性存储芯片通常被用在随机存储器RAM（Random Access Memory）中，通常在断电之后，这类存储器就会丢失数据。常见RAM芯片有两大类：SRAM和DRAM。 

SRAM被称为静态RAM（Static RAM），是目前读写速度最快的存储设备，但是由于造价昂贵，因此SRAM只在对速度要求苛刻的地方使用。譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM是指动态RAM（Dynamic RAM）。DRAM能留存数据的时间很短，通常断电即消失，读写速度比SRAM要慢不少，但DRAM比SRAM要便宜得多，因此DRAM常被用作计算机的内存。

不过这两种RAM芯片的读写速度都比ROM芯片速度快。ROM（Read Only Memory）即只读存储器，在系统停止供电的时，ROM仍然可留存数据。 

ROM拥有众多细分应用领域，常见的就是我们所说的闪存（Flash Memory）。  

“虽然存储芯片拥有如此多的细分品种和领域，但这完完全全是一个寡头市场。”紫光集团高级副总裁周晨对亿欧说道。 

放眼全球，存储芯片市场已高度集中甚至垄断，三大主流产品：DRAM、NAND Flash、NOR Flash更是如此，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度还在不断提高。

IC Insights数据显示，韩国三星、海力士和美国美光科技三大厂商共占全球存储芯片市场份额的95%。其中，三星占据市场份额最大，达44.5%，得益于存储业务的高速增长，三星在2017年超越了英特尔，成为全球第一大半导体厂商。位列二三名的海力士和美光分别占市场的27.9%和22.9%。 

从细分领域来看，全球85%的DRAM市场被三家企业瓜分，其中三星DRAM占全球市场份额的45.8%。NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分，其中，三星NAND占全球市场的37%。 

由于这三家企业在产业链上游拥有绝对的支配地位，所以产品议价能力极强，甚至可以操纵市场价格。不久前，这三家企业共同被反垄断法制裁，反垄断法或许是他们唯一的“对手”。 

中国是全球最大的DRAM芯片进口国。因核心技术被垄断，我国在这方面的发展速度极为缓慢。加之电子产业对DRAM存在刚性需求，仅去年一年，DRAM芯片的价格就上涨了40％之多。 

存储芯片国产化之路，势在必行。 

踩准周期，抢占内需市场

兆易创新创始人兼董事长朱一明告诉亿欧：目前我国存储芯片的进口依赖十分明显，加快国产化进程十分重要。存储芯片拥有明显的市场周期特征，参与到这激烈的市场竞争中，第一步是要准确把握这些特征和规律。 

以DRAM为例，DRAM领域经过几十年的周期循环，玩家从80年代的四五十家，逐渐减少到了2008年金融危机之前的五家，分别是：韩国三星、韩国SK海力士、德国奇梦达、美国美光和日本尔必达。 

这五家公司基本控制了全球DRAM供给，其余终端产品厂商几乎没有生产DRAM的能力。按照常理来说，格局已经稳定，就不会再发生价格战。

可惜的是，韩国并不满足于此，尤其是三星。

三星充分利用了存储芯片行业的强周期特点，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步降低产品价格，从而逼迫竞争对手退出市场，甚至让对手直接破产，这一系列操作也被称为“反周期定律”。 

过去，三星共三次利用“反周期定律”，前两次分别发生在80年代中期和90年代初，这让三星从零开始，坐到了存储芯片龙头的位置。但三星仍不满足。

2008年DRAM市场供过于求，价格狂跌，加上金融危机来袭，企业纷纷面临寒冬。就在此时，三星将2007年总利润的118%投入DRAM 扩张业务，故意加剧行业亏损，给艰难度日的对手们最后一击。 

DRAM价格一路暴跌，2008年底更是跌破了材料成本。随后奇梦达、尔必达等企业相继宣布破产，曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本，也输在了这一轮“周期”中。 

所以，我国企业要参与到存储芯片市场竞争，第一步就是要了解并紧跟行业周期，第二步则是抓住我国在需求端的优势。 

“如今人工智能等技术带来的巨大数据总量，将成为存储芯片行业新的契机。”希捷科技中国区总裁孙丹告诉亿欧。 

IDC《数字化世界