三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高NAND闪存芯片产量

　　网易科技讯 12月13日消息，据外媒报道，三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元，以提高NAND闪存芯片产量。

　　三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际，由于供应有限，市场对5G设备和网络的需求也在不断上升。三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这类芯片可以可用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。

　　2017年，三星宣布将在三年内向位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前，该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。

　　三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝，几家中国企业也正试图进入内存领域，但它们至今尚未取得太大成功，还不足以与这些巨头竞争。

　　今年秋季，长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将开始大规模生产64层3D NAND芯片，这是多数领先行业企业遵循的基准。