支持项目优先布局、新产品研发等 无锡高新区出台集成电路产业政策十条

支持项目优先布局、新产品研发等 无锡高新区出台集成电路产业政策十条百草折 ，3月2日，无锡高新区出台了《无锡高新区关于进一步加快推进集成电路产业高质量发展的政策意见（试行）》（以下简称《意见》），以推动无锡高新区集成电路产业高质量发展，加快国家“芯火”双创基地(平台

，3月2日，无锡高新区出台了《无锡高新区关于进一步加快推进集成电路产业高质量发展的政策意见（试行）》（以下简称《意见》），以推动无锡高新区集成电路产业高质量发展，加快国家“芯火”双创基地(平台）建设。

《意见》提出了十点内容：包括鼓励企业集聚、支持项目优先布局、支持关键领域企业规模化发展、鼓励产业链互动、鼓励企业兼并重组、支持新产品研发等。

具体来看，在鼓励企业集聚方面，对于新引进投资(指固定资产、无形资产和费用化的研发投入)300万元以上的集成电路设计、装备和材料企业，给予办公、研发及生产装备使用空间的房租补贴，补贴期5年。

在支持项目优先布局方面，对新设立或迁入的集成电路设计及设计服务企业，经对其核心技术、工艺水平和市场前景认定后，按照3年内企业实缴资本给予不超过20%的补贴，补贴总额不超过500万元。

对新引进的集成电路关键装备及核心零部件企业，经认定后，按照三年内固定资产投资给予不超过10%、最高1亿元补贴；按照地方经济贡献，给予五免五减半奖励。

对新引进投资额5亿元（含）以上的制造、封装、测试和材料等企业，经论证通过后按照三年内固定资产投资给予不超过8%、最高4亿元补贴，特别重大项目采取“一事一议”方式给予支持。

在支持关键领域企业规模化发展方面，对拥有自主知识产权产品的设计企业，年度应税销售首次突破5000万元、1亿元、5亿元、10亿元、20亿元的，给予企业核心团队100万元、150万元、300万元、600万元、1300万元的一次性奖励。

对拥有自主知识产权产品的集成电路装备和材料企业，年度应税销售首次突破5000万元、1亿元、5亿元、10亿元的，经认定后分别给予企业核心团队200万元、800万元、1200万元、1500万元的一次性奖励。

对于用于关键装备的核心零部件（自主研发）企业，年度应税销售首次突破1000万元、2000万元、5000万元、1亿元的，给予企业核心团队50万元、100万元、200万元、400万元一次性奖励。

在鼓励产业链互动方面，支持区内集成电路企业采购区内装备企业生产的拥有自主知识产权的首台关键专用装备，按照采购金额的25%，一次性给予最高500万元的资助。

对于区内集成电路关键专用装备企业自主研发的装备首次在集成电路企业验证或出售的，给予单台装备销售额的25%支持，一次性给予最高500万元的资助。

对为集成电路设计企业进行封装和测试的企业(不含关联企业)，按照封测费用5%的比例给予支持，对单个企业年度支持总额不超过200万元。

对集成电路制造企业开放产能为区内企业代工流片的，按照每片(折合8寸片）100元的标准给予资金支持，对单个企业年度支持总额不超过1000万元。

在鼓励企业兼并重组方面，鼓励引导无锡高新区集成电路企业通过兼并、收购等形式开展跨地区、跨行业、跨所有制、跨国(境）的兼并重组和投资合作。

对成功并购国内外集成电路设计或装备企业，并购方对目标企业的实际现金购买价格、承担债务金额或目标企业净资产作价入股金额超过1000万元的，最高按照并购实际发生金额的10%给予并购补贴，单个项目总额不超过1000万元。

在支持新产品研发方面，对集成电路设计企业进行MPW(多项目晶圆)流片发生的费用，根据企业设立年限，最高给予70%的支持。

对拥有自主知识产权产品的工程批流片，最高按照该款产品首轮掩模版制作费用的40%和流片费用的50%给予支持；对通过本地企业进行掩模制版、流片的，最高按照该款产品首轮掩模版制作费用的50%和流片费用的60%给予支持。

单个企业（单位）每年支持总额不超过500万元，对线宽小于45nm（含）的每年支持总额不超过2000万元。

对集成电路设计企业购买IP(硅知识产权）(专业IP提供商，或者Foundry厂、EDA供应商)开展芯片研发，给予IP购买费用50%补贴，单个企业每年最高不超过500万元。对从事集成电路EDA开发、IP核研发的企业，给予研发费用加计扣除部分的50%奖励，单个企业每年最高不超过3000万元。

在鼓励企业资质备案方面，对首次通过“国家鼓励的重点集成电路设计企业”备案的，汽车电子车规级认证的，给予最高不超过100万元的一次性奖励。

对取得集成电路布图设计证书的，按每件2000元补贴。

对获批国家级创新中心建设的，参照上级配套资金，每年给予不超过2000万元的一次性建设补助，补贴不超过3年，总金额不超过5000万元。

在推进公共服务平台建设与服务方面，对获得无锡国家“芯火”平台认定的专业公共服务平台，一次性给予当年实际建设投入5%的补贴，最高不超过200万元。对集成电路设计企业购买无锡国家“芯火”平台公共技术服务的，给予实际发生费用50%的支持，单个企业年度支持总额不超过30万元。

在支持关键人才引进和扎根方面，对新引入的集成电路领域人才项目，参照《关于实施“飞凤人才计划”升级版的若干措施》进行支持，支持比例提升50%，三年内给予项目资金不超过1亿元。

支持集成电路企业引进和留住关键骨干、研发人才，对其新招聘的在区内首次就业的人才给予安家费，本科或中级职称每人2万元；硕士或者副高职称每人5万元；博士或者正高职称每人8万元；顶尖人才，经认定后，最高支持300万元。

对于在集成电路企业工作的副总经理以上管理人员和研发人员，年薪50万元以上的，给予每人每年6万元薪酬补贴，年薪80万元以上的，给予每人每年10万元薪酬补贴(对于在集成电路设计、关键装备及核心零部件企业工作的副总经理以上管理人员和研发人员，年薪30万元以上的，给予每人每年3万元薪酬补贴）。

积极开展苏南自创区人才政策先行先试，对在我区集成电路企业工作的境内外高端人才和紧缺人才，经认定后，比照粤港澳大湾区政策给予补贴。

在支持企业参加展会方面，支持企业参加境内外顶级专业展销会、博览会等，对符合条件的，按照参展展位费、特装费、公共布展费等实际支出费用的60%给予补贴，最高支持不超过30万元。

区内企业或专业机构开展集成电路领域行业沙龙、产业高峰论坛等活动的，经区工信局备案审批，按实际费用的30%给予支持，总额不超过50万元。

对于国家级会展或其它有行业重大影响的活动，可根据实际情况采用一事一议方式给予支持。

值得一提的是，在3月2日发布的《无锡高新区（新吴区）现代产业“十四五”发展规划》中提到，要着眼提升集成电路全产业链发展水平，重点发展高端芯片设计、集成电路核心设备及关键零部件，支持发展芯片制造和封测业，高水平推进国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心、无锡国家“芯火”双创基地等重大平台建设，加快打造世界级集成电路产业集群。2025年产业规模达1500亿元。（校对/图图）