集邦咨询：第三代半导体今年高速增长，氮化镓功率器件规模年增90.6%

集邦咨询：第三代半导体今年高速增长，氮化镓功率器件规模年增90.6%espn.com ，TrendForce集邦咨询指出，受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达6,100万美元，年增率高达90.

，TrendForce集邦咨询指出，受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达6,100万美元，年增率高达90.6%。

TrendForce进一步指出，首先，预期疫苗问世后疫情有所趋缓，进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳；其次，随着特斯拉Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视；最后，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额资金扩大产能，上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

据TrendForce调查，GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电、世界先进等尝试导入8英寸晶圆生产，但现行主力仍以6英寸为主。因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元，年增30.8%及90.6%。

TrendForce预期，GaN器件会持续渗透至手机与笔记本配件，且年增率将在2022年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。

SiC器件部分，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体等已陆续开展8英寸衬底研制计划，但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。

（校对/Carrie）