有望解决关键材料卡脖子难题，5G高频MPI材料产业化项目落户昆山

有望解决关键材料卡脖子难题，5G高频MPI材料产业化项目落户昆山郑州韩尚宫 ，3月14日，昆山产业科创中心建设发展大会举行，会上5G高频MPI材料产业化项目、5G BAW滤波器等项目签约。 据大公报报道，5G高频MPI材料产业化项目由乌克兰工程院外籍院士杨为佑领衔，聚焦5G关键材料

，3月14日，昆山产业科创中心建设发展大会举行，会上5G高频MPI材料产业化项目、5G BAW滤波器等项目签约。

据大公报报道，5G高频MPI材料产业化项目由乌克兰工程院外籍院士杨为佑领衔，聚焦5G关键材料及零部件研发，旨在开发MPI材料，以期替代被美国、日本等国垄断的LCP（液晶高分子聚合物）材料，解决5G基站天线等领域关键材料的“卡脖子”问题。

5G BAW滤波器项目，依托多年来海内外材料研发和器件产业化的经验，研发制造BAW滤波器，通过掺杂稀土元素提升材料的压电特性，并且对薄膜层的每层都具有均匀的敏感性，极大提升滤波性能。

据悉，3月14日是昆山确立的“祖冲之纪念日”。在此次会议上，昆山重磅发布“人才科创政策4.0版”，聚焦前瞻性、引领性、嵌链型人才，实施“顶尖人才雁阵”、“双创人才倍增”、“产业人才扩容”等五大计划，头雁顶尖人才最高可获2亿元支持，双创高层次人才最高可获5000万元支持；创新“拨投贷”机制，经认定，重大创新平台最高可获3亿元支持，新型研发机构、创新标杆企业最高可获1000万元支持。（校对/若冰）