大规模集成电路封装核心材料实现突破，2020年度山东“十大科技成果”出炉

大规模集成电路封装核心材料实现突破，2020年度山东“十大科技成果”出炉秦文廉 ，近日，山东省科技统计分析研究中心评选出2020年度山东“十大科技成果”和“十大科技新闻”。 图片来源：山东新闻 “18英寸硅单晶及部件全国首次成功投产”与“大规模集成电路封装核心材料实

，近日，山东省科技统计分析研究中心评选出2020年度山东“十大科技成果”和“十大科技新闻”。

图片来源：山东新闻

“18英寸硅单晶及部件全国首次成功投产”与“大规模集成电路封装核心材料实现突破”入选2020年度山东“十大科技成果”。

18英寸硅单晶及部件全国首次成功投产

大规格高纯硅单晶是先进半导体设备的核心部件材料，是纳米级半导体制程良率的重要保障。经过4年研发，国家重点研发计划“大尺寸高纯稀有金属制品制备技术”结出成果，山东有研半导体材料有限公司成功攻克大规格高纯硅单晶技术，并实现成果转化，填补省内空白。

据山东发布消息，该成果有效解决了大规格单晶生长过程热应力、固液界面稳定性、氧含量、纯度、典型缺陷及电阻率控制等问题，达到全球领先水平，形成20余系列产品，长成单晶直径达到18英寸，为全球最大硅单晶尺寸，纯度可到11N。产品为美国、日本、韩国所有硅部件厂商采用，安装于泛林、东京电子等顶尖半导体设备厂商的刻蚀机产品中，并在台积电等产线中使用。

大规模集成电路封装核心材料实现突破

高精度蚀刻引线框架是超大规模集成电路封装中的关键材料，主要应用于高端芯片的封装。目前蚀刻引线框架技术被日本、韩国垄断，国内产品全部依赖进口。

新恒汇电子股份有限公司围绕集成电路高密度集成、高导电性、高可靠性三大方向开展攻关，突破引线框架无掩模曝光技术、HSP先镀后蚀技术、真空蚀刻技术等关键卡脖子技术，使引线框架的曝光精度达到6μm、生产效率提高30%，整体良率超过90%，技术达到国际领先水平。产品打破国际垄断，替代进口，已为长电科技、华天科技、通富微电等30余家集成电路封测企业供货，使我国高端芯片封装实现自主可控。（校对/西农落）