集微咨询：超两千亿元签约项目“抢跑”，第三代半导体的扩张五年

集微咨询：超两千亿元签约项目“抢跑”，第三代半导体的扩张五年霜冷长河,教师岗前培训心得体会,民间故事大全阅读, 集微咨询（JW insights）认为： - 自2017年至今，近五年时间内，全国超20个省、覆盖超40个城市，新签约落地第三代半导体项目超60个，总投资金额超2000亿元。 - 尽管全国已布局第三代半导体项目众

集微咨询（JW insights）认为：

- 自2017年至今，近五年时间内，全国超20个省、覆盖超40个城市，新签约落地第三代半导体项目超60个，总投资金额超2000亿元。

- 尽管全国已布局第三代半导体项目众多，但真正量产的并不多，加之下游应用市场增长，国内现有产品商业化供给是无法满足市场需求，尤其是SiC电力电子器件和GaN射频器件存在较大缺口。

当前，第三代半导体产业发展处于爆发前夜，全球资本加速进入，产业、资本同处“抢跑”阶段。

国际第三代半导体主要企业大力完善产业布局，通过调整业务领域、整合并购等方式，逐步建立行业壁垒。而国内企业强化布局，第三代半导体产业极速扩张，产线陆续落地、投产，产能逐步释放，但目前供给存在不足。

集微咨询（JW insights）观察，尽管我国布局第三代半导体产业已多年，但新一轮的产业扩张，始于2017年前后，2018年扩张态势加速明显。

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的“第三代半导体产业发展报告（2017）”显示，2017年属于第三代半导体材料的新时代正在开启。2017年，无论是在国际还是国内市场，第三代半导体市场端推进速度显著加快，使得2017年成为第三代半导体产品开始实质性市场渗透的一年。

同时，2017年，国内投资扩产热度空前，扩产项目共计10起，总投资金额达到700亿元之巨，充分凸显在“大基金”带动下，国家、地方、企业联动的投融资生态圈正在发挥积极作用。

新时代下的五年扩张，新签约项目超两千亿

集微咨询（JW insights）数据显示，自2017年至今，近五年时间内，全国超20个省、覆盖超40个城市，新签约落地第三代半导体项目超60个，总投资金额超2000亿元。

其中，2020年投资呈“井喷式”增长，项目签约现小高峰。

集微咨询（JW insights）不完全统计，2019年，新签约第三代半导体产业项目超6个，其中披露投资额的项目中，4个项目投资额为10亿元左右，鲜有百亿级产业项目落地。

2020年开始，百亿级第三代半导体项目（含产业园）纷纷签约落地，当年新签项目超15个（含产业园），总投资额超800亿元，超百亿元项目数占比超25%。

2021年上半年，新签约第三代半导体产业项目已超11个，全年有超越2020年签约数量之势，但总投资规模恐难及2020年。今年新签约第三代半导体项目，披露投资额的极少，从项目信息可判断，投资额超百万的项目占比或低于15%。

集微咨询（JW insights）统计，近5年签约落地项目中，GaN项目数量占比30%，SiC项目数量占比63%，其他合并项目数量占比7%。

从投资额看，SiC项目总投资金额占比约73%，GaN项目总投资金额占比18.7%，其他合并项目投资占比8.1%。

在落地项目“爆发增长”的2020年，第三代半导体落地项目中，SiC项目数占比约68%，GaN项目数占比约23%，其他合并项目占比约为9%。

总体而言，SiC项目呈现项目数量多、投资金额大等特点。

集微咨询（JW insights）认为，以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G等领域不断取得突破，2020 年全球第三代半导体市场总体保持增长，受益于电力电子市场需求增长、政策红利加持、民间资本关注等因素，国内第三代半导体项目也于2020年呈现“爆发性”落地。经过几年的发展，进入2021年后，第三代半导体落地项目渐有降温趋势，国内第三代半导体产业有望逐渐由“导入期” 向“成长期”过渡。

龙头地位逐渐确立 卡位争夺日趋激烈

从10亿元产线到百亿级巨头落地，第三代半导体领域，龙头企业地位逐渐确立，卡位争夺日趋激烈。

近五年，新签约第三代半导体项目超70个，其中百亿元以上的项目占比7%，50亿元以上占比12%，涌现三安、天岳等龙头。

同样，也不乏类似中鸿新晶等投资额巨大，但项目背后实力及进展信息较少的项目。

集微咨询（JW insights）认为，如今第三代半导体在中国可谓是炙手可热、遍地开花。

目前，国内SiC商业化导电型衬底与以4英寸为主，逐步向6英寸过渡；半绝缘衬底以4英寸为主。能批量生产 SiC 单晶衬底的公司主要有天科合达、山东天岳、烁科晶体、同光晶体、中科钢研、世纪金光、中电化合物等公司。SiC 外延片方面，瀚天天成、东莞天域除满足国内市场需求外，还有部分外销能力。中电科55 所、中电科13所具备SiC外延生产能力，但主要是自用。

国内商业化的GaN衬底尺寸以2英寸为主，4英寸实现小批量出货，Si基GaN外延片主流尺寸为6英寸，英诺赛科率先实现8英寸GaN-on-Si外延材料及晶圆制造大规模量产。

尽管全国已布局第三代半导体项目众多，但由于产线建设调试周期较长、项目烂尾等问题，真正量产的并不多；加之下游应用市场增长，国内现有产品商业化供给是无法满足市场需求，尤其是SiC电力电子器件和GaN射频器件存在较大缺口，且国内企业产品成本、性能等方面竞争力不足，因此，我国第三代半导体各环节国产化率较低，有数据显示，目前超过八成的产品依赖进口。

集微咨询（JW insights）认为，伴随第三代半导体产线大量落地、企业成长，产业链上下游联动加强，加速产业生态构建。我国第三代半导体供应链的自主保障能力将得到增强，但国内企业的市场竞争力较国际巨头仍有差距。

融资活跃，推动产业驶入成长快车道

国内第三代半导体领域融资活跃度不断走高，受益于政策驱动与市场规模不断扩大，资本市场对第三代半导体产业信心持续增长。集微咨询（JW insights）统计显示，2020年国内第三代半导体领域完成融资近20笔，为六年来最高。截至8月3日，2021年第三代半导体领域完成融资超15笔，下半年资金有望持续涌入该赛道，助推融资数量攀升至新高，进一步推动第三代半导体产业驶入成长快车道。

此外，2015-2021年间，第三代半导体企业融资额也不断攀升。

集微咨询（JW insights）统计显示，2020年开始，第三代半导体成为融资热门赛道，融资企业数与融资额不断攀升，其中比亚迪半导体在2020年完成多轮融资，A轮及A+轮融资额分别为19亿元、8亿元。2021年，第三代半导体领域融资势头比2020稍有减缓。

（校对/萨米）

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