闻泰科技氮化镓、碳化硅产品闪耀进博会，持续推进中国车规级半导体发展

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11月6日，进博会进入第二天，闻泰科技安世半导体展位大批氮化镓和碳化硅产品成为观众关注的焦点。

汽车电子是Nexperia（安世半导体）的重点服务领域。每一款新车都使用了约270款不同应用领域的 Nexperia（安世半导体）产品，比如汽车和电动汽车动力系统、汽车直流电机控制和车载充电器等。面对国内快速发展的电动车市场，作为高效功率氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的可靠供应商--Nexperia（安世半导体）在第四届中国国际进口博览会期间展出大量氮化镓和碳化硅产品，包括采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器、50千瓦动力系统逆变器、3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器、4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC、首款工业级 650V/10A碳化硅（SiC）肖特基二极管等。

采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器

采用安世35千瓦氮化镓（GaN）功率组件的新能源汽车电机控制器由上海汽车电驱动有限公司和安世半导体（中国）有限公司联合研制，是中国首款满足量产级的新能源汽车氮化镓（GaN）电机控制器。该控制器峰值效率达到99.34%，最大输出功率35kW，超高功率密度，NVH性能优良，覆盖AO/A级/小型SUV EV功率范围。

安世高功率氮化镓场效应晶体管型号GAN039-650NTBA，符合车规级认证的CCPAK1212i，顶部散热贴片封装，高可靠性的级联结构氮化镓技术，可提高抗干扰能力，无需设计负电压驱动。

50千瓦动力系统逆变器

50千瓦动力系统逆变器是基于安世半导体氮化镓技术的电动汽车逆变器，输入电压为355V-450V，最大输出功率为50千瓦，SVPWM调制方式，高达30kHZ的工作频率，实现>98%的效率。

安世高功率氮化镓场效应晶体管采用H2 GaN041晶圆裸片，使动力系统以更低的成本达到更高的效率（﹥98%），优化热性能、简化开关拓扑；显著提高开关速度和转换效率；提供动力系统电气化所需的功率密度；缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量；同样的电池容量可实现更远行驶里程。

3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器

3千瓦氮化镓（GaN）DCDC车载充电器，采用安世半导体氮化镓（GaN）场效应管方案，输入电压范围250V~500V，效率高达95%。安世高效产品及优势：TO-24封装氮化镓场效应管， 型号GAN063-650WSA、GANO41-650WSA；减少功率器件数量，降低系统成本，提高整个系统的可靠性，提供高端电源所需的高效率和高功率密度。

4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC

4千瓦氮化镓（GaN）无桥图腾柱PFC，应用于新能源汽车车载充电器，NXTTP4000W066为4KW的无桥图腾柱PFC转换器，输入电压范围为85VAC-265VAC，47Hz-63Hz；工作频率为66kHz、120KHz或者更高，输出电压387 VDC +5 VDC。

安世高效产品及优势：型号GAN041-650WSB，T0-247封装；减少50%的功率器件数量，可以降低系统成本，同时提高整个系统的可靠性；高达99%的系统效率助力钛金牌电源；减少对昂贵冷却系统的需求及在密闭环境中的相关操作成本。

首款工业级 650V/10A碳化硅（SiC）肖特基二极管

Nexperia（安世半导体）推出适合超高性能、低损耗和高效功率转换应用的领先碳化硅（SiC）肖特基二极管。该产品具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因数（Qc×Vf），合并PN肖特基二极管提高了稳健性，可耐受高IFsw。Nexperia（安世半导体）计划持续扩充SiC二极管产品组合，预计推出总共72款在650V和1200V电压、6-20A电流范围下工作的工业级部件和车规级部件。

作为汽车电子主流供应商，Nexperia（安世半导体）将运用氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技术，推进中国车规级半导体发展，让世界变得更美好。

此前，Nexperia（安世半导体）通过收购、投资等举措大幅扩充产能，且全球的研究和开发活动也得到了显著扩展。闻泰科技董事长兼首席执行官、安世半导体董事长兼首席执行官张学政表示：安世半导体研发和产能投资举措将支持我们实现宏伟的战略增长目标，丰富核心产品组合，并显著提高在汽车电子市场的份额。安世半导体致力于为中国汽车半导体保驾护航，与客户共创美好的未来。（校对|Lee）

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