年产碳化硅衬底12万片，天科合达第三代半导体项目开工
（文/依然）8月17日，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京大兴举行。
据悉，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。
北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建表示，天科合达将致力于打造全球第三代半导体碳化硅衬底材料龙头企业，为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供有力支撑。（校对/图图）
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- 编辑：郭晓刚
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