三星计划量产3纳米GAA尖端芯片，SK海力士推进EUV DRAM生产时程

喜欢

来源：互联网
|
2020-09-18
|
0 条评论
|
我要分享
|
T小字　 T大字

（文/小山），据韩媒etnews报道，在“Tech Week 2020 LIVE”活动上，三星电子和SK海力士宣布了各自关于下一代半导体技术的发展战略。其中，三星电子计划量产业界首批采用3纳米环绕式栈极（gate-all-around，简称GAA）工艺制造的尖端芯片；SK海力士则正准备生产基于极紫外光刻 (EUV)技术的DRAM。

三星电子表示，该公司计划通过IBM和英伟达的下一代CPU和GPU的订单，在全球代工市场上利用GAA技术开拓下一代产品市场。

三星代工的执行董事Kang Moon-soo称，“我们计划大规模生产行业第一批基于GAA技术的半导体”。

韩媒指出，截至目前，三星电子和台积电是业界仅有的开始开发GAA工艺的两家公司。

这也意味着，如果三星电子能够在量产时程上超越台积电，三星将能够抓住机遇，甚至在全球代工市场上领先台积电。

（图源：韩联社）

而SK海力士也将很快量产基于EUV工艺的DRAM。SK海力士未来技术研究所负责人Lim Chang-moon表示，“我们计划从第4代10nm (1a) DRAM开始应用EUV工艺。同时我们计划明年初开始大规模生产”。

数据显示，全球DRAM市场约94%的份额分别由三星、SK海力士和美光垄断，两家韩国公司约占74%的市场份额。

因而，若GAA和EUV DRAM成功落地商业化，韩国半导体产业的地位将进一步提升。同时，报道指出，EUV DRAM将能进一步扩大韩国半导体企业与中国半导体企业之间的差距。鉴于EUV设备的昂贵成本以及有限的供应量，韩国企业将更有别于中国企业。

（校对/零叁）

免责声明：本站所有信息均搜集自互联网，并不代表本站观点，本站不对其真实合法性负责。如有信息侵犯了您的权益，请告知，本站将立刻处理。联系QQ：