挤爆牙膏管？骁龙775G跑分曝光 | 小米6钉子户充电升级26w

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随着今年一波旗舰的发布完毕，接下来就是1月份的各种新旗舰了，而高通的下一代旗舰骁龙875也将会在12月1日正式和大家见面。这次除了骁龙875外，同时还有一款骁龙7系列次旗舰产品，型号命名上我们姑且称之为：骁龙775G吧~

根据目前已知的信息，骁龙 875基于三星 5nm LPE工艺打造， CPU由1颗Cortex-X1超大核+3颗A78大核+4颗A55小核构成。

单核多核跑分成绩，目前Geekbench5上大概是1100+/3500+，因为工程机的关系，多核性能提升并不大，单核性能则是有较大提升，最终跑分成绩，还是得等最终发布之后再确认。

近日@数码闲聊站，也曝光了高通骁龙 875 测试样机的跑分，875内部测试型号为sm8350，跑分能达74 万分左右，相比上一代高通骁龙 865 60W+的跑分，性能提高在23%以上。 （当然这波应该还是测试版本）

相较于875，这次全新的7系列次旗舰，倒是更值得大家关注，由于高通中端产品自从660以后，就是万年挤牙膏的策略，导致今年的骁龙765G被发哥和麒麟的820彻底KO，中端Soc缺少一个强有力的产品。

所以骁龙775G就不得不挤爆牙膏管了，内部测试代号sm7350，工程机跑分在53w+，对比骁龙765G提升非常大，当然也可能是因为骁龙765G本身较弱的关系，只有2个A76大核，而天玑820则是四个A76大核。

作为骁龙775G的竞争对手，天玑6nm芯片最近也已经曝光，采用四个A78大核，Mali G77MC9，最终这两款产品谁会更强，就等最终发布的实测结果了。

小米6可以算是小米数字系列的常（钉）青（子）树（户）了，至今仍然有不少用户在坚持。近日根据IT之家的报道，有网友通过解锁小米6的温控策略，手动调整了快充功率，相比默认的18w峰值功率，解锁之后可以飙到26.31w。。。

网友：18w升级26w，再战3年，等小米13！

不过关闭温控、解锁充电功率的操作有可能导致手机电池不稳定，甚至可能发生爆炸的风险，这波即便是钉子户，也不建议大家这么操作，纯粹就当看个乐哈~